Doctoral candidate position (m/w/d) (DC5) Metrology on a wafer level (structural and morphologi[...]

Ihr Arbeitsplatz

The semiconductor material silicon carbide (SiC) has established itself as the standard semiconductor material in power electronics. New applications in photonics are also emerging that take advantage of the extraordinary physical properties of SiC. In the EU project SiCPiC the so‑called CVD (Chemical Vapor Deposition) and CS‑PVT (Close‑Space Physical‑Vapor‑Transport) processes are investigated with regard to their use in new photonic applications of SiC.

Unsere Benefits

• Regelmäßiger Stufenanstieg und steigendes Gehalt nach Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst der Länder (TV‑L) beziehungsweise Besoldung nach BayBesG sowie zusätzliche Jahressonderzahlung
• Urlaubsanspruch von 30 Tagen pro Kalenderjahr bei fünf Arbeitstagen pro Woche, mit zusätzlichen freien Tagen am 24. und 31. Dezember
• Betriebliche Altersversorgung sowie vermögenswirksame Leistungen
• Intensive Begleitung in der wissenschaftlichen Qualifikationsphase
• Promotion in einem strukturierten Programm
• Systematische Karriereentwicklung im Graduiertenzentrum
• Umfassende Einarbeitung durch engagiertes Team
• Gemeinsame Aktivitäten im Team
• Vergünstigtes Essens‑ und Getränkeangebot in unseren Mensen
• Arbeitsplätze in fußläufiger Nähe zum öffentlichen Nahverkehr
• Familienfreundliche Umgebung mit Ferien‑ und Kinderbetreuungsangeboten
• Flexible Arbeitszeitregelungen
• Vielfältige Weiterbildungs‑ und Fortbildungsmöglichkeiten
• Aktives Gesundheitsmanagement

Ihre Aufgaben

In the EU project SiCPiC the so‑called CVD (Chemical Vapor Deposition) and CS‑PVT (Close‑Space Physical‑Vapor‑Transport) processes are investigated with regard to their use in new photonic applications of SiC. The tasks of the three doctoral candidate (DC3, DC5, DC6) positions at the Crystal Growth Lab at FAU CGL include SiC layer fabrication, surface preparation and electrical‑optical characterisation. ML and AI assisted methods support the experiment planning and analysis. Each of the three doctoral candidate positions focus on one of the three tasks: DC5 focuses on Metrology on a wafer level (structural and morphologic characterisation). It is expected that all three doctoral candidates collaborate together beyond their own research focus. The doctoral positions offer the opportunity to participate in the international EU project SiCPiC. In cooperation with partners in Europe, short stays abroad for specialist meetings and research activities are mandatory.

Ihr Profil

Required qualifications: Excellent master’s degree in materials science, nanotechnology, electrical engineering, physics, or a comparable field / Good written and spoken English skills / Ability to work independently and as part of an interdisciplinary team / Positive attitude, enjoyment of research, and finding new solutions.
Desirable qualifications: Previous knowledge in the field of materials synthesis and/or characterization of semiconductors is an advantage.
Due to restrictive legal requirements for technology export control, project staff must be citizens of the European Union, Switzerland, Norway, Island, Japan or the USA/Canada/Australia/New Zeeland.

Stellenzusatz

Job position: The TVL E13 position (75%) (project duration = 3 years/36 months) is initially limited to 15 months.

Wie läuft das Bewerbungsverfahren ab?

• Bewerbung über Online‑Bewerbungsverfahren
• Automatische Empfangsbestätigung per Mail
• Sichtung der Bewerbungen durch Beschäftigungsstelle
• Einladung zum ersten Vorstellungsgespräch
• 2 Optionale Einladung zum zweiten Vorstellungsgespräch vor Ort
• Gibt es ein Match?
• Vorbereitung der Einstellungsunterlagen
• Beteiligung des Personalrats
• Arbeitsbeginn – Herzlich Willkommen bei der FAU

Anmerkung

Wir bitten Sie, unsere Onlineplattform zu nutzen und von Bewerbungen auf dem Postweg oder per E‑Mail abzusehen. Bewerbungen, die auf dem Postweg bei uns eingehen, werden nach Abschluss des Verfahrens nicht zurückgesendet. Wegen der im Zusammenhang mit dem Bewerbungsverfahren zu erhebenden personenbezogenen Daten bitten wir Sie, unsere Informationen nach Art. 13 und 14 Datenschutzgrundverordnung unter zu beachten. Die FAU versteht sich als moderner, weltoffener und familienfreundlicher Arbeitgeber. Wir begrüßen Ihre Bewerbung unabhängig von Ihrem Alter, Ihrem Geschlecht, Ihrer kulturellen und sozialen Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung oder sexuellen Identität. Haben Sie eine Schwerbehinderung oder sind schwerbehinderten Personen gleichgestellt, so berücksichtigen wir Sie bei wesentlich gleicher Eignung, Leistung und Befähigung bevorzugt. Gerne können Sie bei uns in Teilzeit arbeiten, wenn durch Job‑Sharing eine vollumfängliche Wahrnehmung des Aufgabenbereichs gewährleistet ist. Bei Wunsch können Sie eine Person der Gleichstellung zum Bewerbungsgespräch hinzuziehen, ohne dass dadurch Nachteile für Sie entstehen.

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Bewerbungsschluss:
Martensstr. 7
91058 Erlangen
Kontakt Elisabeth Henneberger

• E‑Mail:
• Telefon: ‑27729 (Mo‑We, 8‑12 am)

Bewerbungsschluss

Titel Doctoral candidate position (m/w/d) (DC5) Metrology on a wafer level (structural and morphologic characterization of 3C‑SiCOI stacks)

Einstellungstermin:
Ort Technische Fakultät
Martensstr. 7
91058 Erlangen
Entgelt TV‑L E 13
Arbeitszeit Vollzeit – 40,10 Std./Woche, nach Vereinbarung
Befristete Anstellung: bis