Experte für GaN-Epitaxietechnologie (m / w / d)

Bertrandt München

Stellenbeschreibung:

Was Sie erwartet :

  • Leitung der Entwicklung von epitaxialen Heterostrukturen im Bereich der III-N-Materialien mit besonderem Fokus auf qualitativ hochwertige GaN-Schichten auf Silizium- und Siliziumkarbid-Substraten durch metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder andere relevante Wachstumsprozesse
  • Definition von Wachstumsrezepten, Durchführung von Prozessläufen, Charakterisierung der gewachsenen Wafer und Analyse der Ergebnisse für die Produktnutzung in den Bereichen RF, Leistungselektronik und Photonik
  • Identifikation von Ursachen und Definition nachhaltiger Korrekturmaßnahmen bei Prozessabweichungen
  • Analyse der Verbindung zwischen den Parametern des epitaxialen Wafers und den relevanten Gerätedaten zur Verbesserung der Leistung und Ausbeute
  • Definition der Messtechnikstrategie und Durchführung der erforderlichen Messungen
  • Zusammenarbeit mit Partnern zur Lieferung der erforderlichen epitaxialen Wafer für verschiedene Technologieprojekte gemäß Arbeitsplan und vereinbarten Spezifikationen
  • Regelmäßige Recherche zu neuen Verbundhalbleitermaterialien und -prozessen sowie Durchführung technischer und wirtschaftlicher Machbarkeitsbewertungen

Was Sie mitbringen :

  • Promotion oder Master-Abschluss in Elektrotechnik, Physik, Materialwissenschaften oder einer ähnlichen Disziplin
  • Über 8 Jahre Berufserfahrung im Wachstum von GaN-basierten Heterostrukturen, praktische Erfahrung mit GaN-on-Si und / oder GaN-on-SiC Epitaxie ist von Vorteil
  • Tiefgehendes Wissen und praktische Erfahrung mit MOCVD-Wachstumstechnologie und -ausrüstung
  • Gute Kenntnisse der Halbleiterbauelementphysik und -technologie, mit Schwerpunkt auf GaN-Materialien und GaN-basierten elektronischen und optoelektronischen Geräten
  • Erfahrung in der Herstellung von Halbleiterbauelementen und Arbeit im Reinraum
  • Gute Kenntnisse und Erfahrung in einer breiten Palette von Materialcharakterisierungstechniken, einschließlich Röntgenbeugung und -reflektometrie, Bogenmessung, Defektanalyse, Photolumineszenz, AFM, TEM, SEM und optische Mikroskopie
  • Sehr gute Kommunikations- und Präsentationsfähigkeiten in Deutsch und Englisch
  • Bereitschaft und Flexibilität, je nach Geschäftsbedarf international zu reisen

Was wir können :

Flexible Arbeitszeiten Eigenverantwortliches Arbeiten Konzernweites "Netzwerken" Attraktive Vergütung Teamorientierte Arbeitsweise

#J-18808-Ljbffr
NOTE / HINWEIS:
EnglishEN: Please refer to Fuchsjobs for the source of your application
DeutschDE: Bitte erwähne Fuchsjobs, als Quelle Deiner Bewerbung

Stelleninformationen

  • Typ:

    Vollzeit
  • Arbeitsmodell:

    Vor Ort
  • Kategorie:

  • Erfahrung:

    2+ years
  • Arbeitsverhältnis:

    Angestellt
  • Veröffentlichungsdatum:

    10 Dez 2025
  • Standort:

    München

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