Wissenschaftler (all genders) für MOCVD-Epitaxie mit Schwerpunkt Galliumnitrid

INNOVATIONEN AUS EINER HAND

VERÄNDERUNG STARTET MIT UNS

Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter‑Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenzschaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler‑Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren oder neuartige Hard‑ und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft.

In der Abteilung „Epitaxie“ arbeiten wir im Rahmen unserer Pilotlinie an der Stärkung der europäischen Halbleiterfertigungskapazität. Wir arbeiten eng mit der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD) zusammen und leisten so einen wichtigen Beitrag zur Stärkung der europäischen Wettbewerbsfähigkeit im Bereich der Halbleitertechnologien. Mit unseren modernen Produktionsanlagen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOCVD) stellen wir Epitaxie‑Wafer für mikroelektronische Bauelemente für Anwendungen in der Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik auf Basis des Halbleitermaterials GaN her.

Was Sie bei uns tun

• Gemeinsam mit Ihren Kolleg*innen entwickeln Sie MOCVD‑Produktionsprozesse für GaN‑Bauelementstrukturen weiter, insbesondere hinsichtlich Qualität, Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit.


• In Zusammenarbeit mit dem Geschäftsfeld „Leistungselektronik“ akquirieren und steuern Sie nationale sowie internationale Projekte zur Stärkung der europäischen Halbleiterindustrie.


• Sie arbeiten interdisziplinär mit den Abteilungen „Technologie“ und „Mikroelektronik“, um zukunftsweisende Lösungen zu entwickeln.

Was Sie mitbringen

• Wissenschaftliches Hochschulstudium (Master/Diplom) in Physik, Materialwissenschaft oder Mikrosystemtechnik oder einer ähnlichen Fachrichtung; Promotion ist von Vorteil, jedoch nicht zwingend erforderlich.


• Erfahrung in der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOCVD), insbesondere in der GaN‑Elektronik, sowie Kenntnisse in Materialwissenschaften und der Funktionsweise elektronischer Halbleiterbauelemente.


• Erfahrung in einem industriellen Umfeld und/oder Erfahrungen in Akquise und Leitung von Projekten sind ein Plus.


• Selbstständige Arbeitsweise mit der Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten.


• Verhandlungssichere Englischkenntnisse.


• Teamfähigkeit, Kommunikationsstärke und Begeisterung für experimentelle Arbeit.

Was Sie erwarten können

• Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette.


• Breit gefasste Forschungsbereiche ermöglichen sowohl Spezialisierung als auch interdisziplinäres Arbeiten.


• Anwendungsnahe Projekte und enge Kontakte zu Industrie und öffentlichen Auftraggebern.


• Kontinuierliche Teilhabe am aktuellen Forschungsdiskurs sowie Freiheiten in der eigenen Forschung.


• Auswechsl mit Kolleg*innen innerhalb der Fraunhofer‑Gesellschaft sowie mit weiteren wissenschaftlichen Institutionen und der Industrie.


• Modernes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Gestalten.


• Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen.


• Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), Zuschuss zum Deutschland‑Ticket/Jobticket sowie vielfältige Gesundheitsangebote (z. B. Pilates).


• Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (Mit‑Kind‑Büro, Möglichkeit zum mobilen Arbeiten u. a.).


• Kostenloses Parkhaus mit E‑Ladestationen sowie Frelo‑Station (Fahrradverleihsystem) und Bushaltestelle direkt am Institut.

Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle ist zunächst auf drei Jahre befristet. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen basieren auf dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD). Zusätzlich kann Fraunhofer leistungs‑ und erfolgsabhängige variable Vergütungsbestandteile gewähren.

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Unsere Aufgaben sind vielfältig und anpassbar – für Bewerber*innen mit Behinderung suchen wir gemeinsam Lösungen, die ihre Fähigkeiten optimal fördern.