Wissenschaftler*in (all genders) - Molekularstrahlepitaxie (III-V-Halbleiter)

INNOVATIONEN AUS EINER HAND VERÄNDERUNG STARTET MIT UNS Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenz-Schaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft.

Wir suchen Sie als Wissenschaftler*in (all genders) mit Expertise in der Molekularstrahlepitaxie (MBE) von III-V-Heterostrukturen für elektronische und optoelektronische Anwendungen. In der Abteilung »Epitaxie« stärken wir mit unserer Pilotlinie die europäischen Halbleiterfertigungskapazitäten. In enger Zusammenarbeit mit der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD) leisten wir einen wichtigen Beitrag zur Wettbewerbsfähigkeit Europas im Bereich der Halbleitertechnologien. Mit unseren hochmodernen Pilotproduktionsanlagen für die Molekularstrahlepitaxie (MBE) fertigen wir epitaktische Wafer auf Basis von III-V-Verbindungshalbleitern für mikroelektronische und optoelektronische Bauelemente in Hochfrequenz- und photonischen Anwendungen. In dieser Position stellen Sie den zuverlässigen Betrieb und die kontinuierliche Weiterentwicklung unserer MBE-Technologie sicher. Mit einer ausgeprägten Kundenorientierung unterstützen Sie die erfolgreiche Überführung innovativer Halbleiterlösungen vom Labor in die industrielle Fertigung – von „Lab to Fab“.

Hier sorgen Sie für Veränderung

• Sie sorgen für den reibungslosen Betrieb der Multi-Wafer-MBE-Produktionsanlagen, indem Sie die präventive Wartung übernehmen und Störungen sowie Fehler zielgerichtet beheben.
• Sie treiben die MBE-Produktionsprozesse für III-V-Heterostrukturen im Team aktiv voran und optimieren diese gezielt im Hinblick auf Qualität, Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit.
• Sie vernetzen sich eng mit den Abteilungen für Technologie, Mikroelektronik und Optoelektronik, um gemeinsam innovative und wegweisende Lösungen zu verwirklichen.
• Sie werben nationale und internationale Projekte ein, leiten diese eigenverantwortlich und legen Ihren Fokus dabei auf den industriellen Technologietransfer sowie die Stärkung der europäischen Halbleiterindustrie.

Hiermit bringen Sie sich ein

• Abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master/Diplom) und Promotion in Physik, Materialwissenschaften oder Elektrotechnik
• Fundierte Praxis in der Epitaxie (idealerweise MBE) insbesondere für III-V-elektronische und optoelektronische Anwendungen, idealerweise Erfahrung im industriellen Umfeld
• Fundierte Kenntnisse der MBE-Anlagentechnologie sowie praktische Erfahrung mit Ultrahochvakuum-(UHV-)Systemen
• Erfahrung in der Zusammenarbeit mit Epitaxie-Kunden aus Forschung und Industrie im MBE-Umfeld und erste Erfolge bei der Projektakquise und im Technologietransfer sind wünschenswert
• Strukturierte Arbeitsweise bei der Fehlersuche und Prozessoptimierung
• Teamgeist, ausgeprägte Kommunikationsfähigkeiten und Freude an experimenteller Arbeit
• Verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse in Wort und Schrift

Was wir für Sie bereithalten

• Hohe Innovationsdynamik: Profitieren Sie von einem zukunftsorientierten Umfeld, kurzen Entscheidungswegen und interdisziplinärer Zusammenarbeit.
• Innovatives und internationales Arbeitsumfeld: Hier arbeiten Sie in einem modernen und international geprägten Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Gestalten.
• Umfassende Entwicklungsmöglichkeiten: Dabei profitieren Sie von zahlreichen Weiterbildungsmöglichkeiten, darunter Workshops, Seminare, E-Learnings und individuelle Coachings, um Ihre Karriere aktiv voranzutreiben.
• Vielfältige Zusatzleistungen: Außerdem können Sie attraktive Zusatzangebote wie z. B. eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), ein vergünstigtes Jobticket für den öffentlichen Nahverkehr und unterschiedliche Gesundheitsprogramme, beispielsweise Pilates, nutzen.
• Flexible Arbeitszeitmodelle: Genießen Sie die Freiheit, Ihre Arbeitszeiten flexibel zu gestalten.
• Familienfreundlicher Arbeitsplatz: Profitieren Sie von familienfreundlichen Angeboten: Kita-Plätze in der Kindertageseinrichtung »Junikäfer« in Freiburg, Mit‑Kind‑Büro sowie umfangreichen Beratungsangeboten für Homecare‑Eldercare (pme Familienservice).
• Attraktive Verkehrsanbindung: Nutzen Sie gerne unser kostenloses Parkhaus mit E‑Ladestationen. Eine Frelo‑Station (Fahrradverleihsystem) und eine Bushaltestelle befinden sich ebenfalls direkt am Institut.

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Unsere Aufgaben sind vielfältig und anpassbar – für Bewerber*innen mit Behinderung finden wir gemeinsam Lösungen, die ihre Fähigkeiten optimal fördern. Weitere barrierefreie Informationen finden Sie hier: Arbeiten mit Behinderung am Fraunhofer IAF .

Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle kann auch in Teilzeit besetzt werden.

Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen richten sich nach dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD).

Die Stelle ist zunächst auf 3 Jahre befristet; eine langfristige Zusammenarbeit wird jedoch angestrebt.

Kennziffer: 86111 Bewerbungsfrist: